
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥65.629153 | ¥65.63 |
| 10 | ¥45.665041 | ¥456.65 |
| 100 | ¥33.749297 | ¥3374.93 |
| 500 | ¥29.816135 | ¥14908.07 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 133 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB020N08N5 SP001227042
单位重量 4 g
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0IPB020N08N5ATMA1
型号:IPB020N08N5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥65.629153 |
| 10+: | ¥45.665041 |
| 100+: | ¥33.749297 |
| 500+: | ¥29.816135 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥65.63