货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.48386 | ¥1451.58 |
6000 | ¥0.435511 | ¥2613.07 |
15000 | ¥0.387088 | ¥5806.32 |
30000 | ¥0.362913 | ¥10887.39 |
75000 | ¥0.321766 | ¥24132.45 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0MMBF170Q-7-F
型号:MMBF170Q-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.48386 |
6000+: | ¥0.435511 |
15000+: | ¥0.387088 |
30000+: | ¥0.362913 |
75000+: | ¥0.321766 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00