货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥0.179407 | ¥0.18 |
30 | ¥0.172994 | ¥5.19 |
100 | ¥0.166593 | ¥16.66 |
500 | ¥0.153767 | ¥76.88 |
1000 | ¥0.147366 | ¥147.37 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 2.5 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 180 mS
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1C001UN
单位重量 6 mg
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0RU1C001UNTCL
型号:RU1C001UNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.179407 |
30+: | ¥0.172994 |
100+: | ¥0.166593 |
500+: | ¥0.153767 |
1000+: | ¥0.147366 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.18