CSD18540Q5B
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- 制造商编号：
- CSD18540Q5B
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：2500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ￥5.886836 | ￥14717.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6 ns
规格参数
开发套件 BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.600 mg
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注
CSD18540Q5B品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD18540Q5B
数据手册PDF
。
CSD18540Q5B
型号：CSD18540Q5B
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2500+： | ￥5.886836 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00