货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.705538 | ¥2.71 |
10 | ¥2.004096 | ¥20.04 |
30 | ¥1.875301 | ¥56.26 |
100 | ¥1.746339 | ¥174.63 |
500 | ¥1.689207 | ¥844.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 9.3 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 45.6 nC
耗散功率 660 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.9 ns
上升时间 16.8 ns
典型关闭延迟时间 43.6 ns
典型接通延迟时间 7.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMN2015UFDE-7
型号:DMN2015UFDE-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.705538 |
10+: | ¥2.004096 |
30+: | ¥1.875301 |
100+: | ¥1.746339 |
500+: | ¥1.689207 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.71