
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.247387 | ¥39.25 |
| 10 | ¥25.260772 | ¥252.61 |
| 100 | ¥17.306735 | ¥1730.67 |
| 500 | ¥13.905699 | ¥6952.85 |
| 1000 | ¥13.869178 | ¥13869.18 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 43 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC060N10NS3 G SP000446584
单位重量 114.250 mg
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0BSC060N10NS3GATMA1
型号:BSC060N10NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.247387 |
| 10+: | ¥25.260772 |
| 100+: | ¥17.306735 |
| 500+: | ¥13.905699 |
| 1000+: | ¥13.869178 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.25