
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.133829 | ¥5334.57 |
| 5000 | ¥2.032178 | ¥10160.89 |
| 12500 | ¥1.938429 | ¥24230.36 |
| 25000 | ¥1.934655 | ¥48366.38 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46.8 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
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0DMTH8012LPSQ-13
型号:DMTH8012LPSQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.133829 |
| 5000+: | ¥2.032178 |
| 12500+: | ¥1.938429 |
| 25000+: | ¥1.934655 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00