STI28N60M2
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- 制造商编号：
- STI28N60M2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥45.759776 | ￥45.76 |
| 10 | ￥41.141298 | ￥411.41 |
| 25 | ￥38.891561 | ￥972.29 |
| 100 | ￥31.110981 | ￥3111.10 |
| 250 | ￥29.382594 | ￥7345.65 |
| 500 | ￥27.654206 | ￥13827.10 |
| 1000 | ￥23.678913 | ￥23678.91 |
| 2500 | ￥23.333236 | ￥58333.09 |
| 5000 | ￥21.259171 | ￥106295.85 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STI28N60M2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK
包装
-
系列
MDmesh™ M2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
150mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
36nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1440pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
I2PAK (TO-262)
封装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
STI28N60M2 同类别型号
注
STI28N60M2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STI28N60M2
数据手册PDF。
STI28N60M2
型号：STI28N60M2
品牌：ST
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥45.759776 |
| 10+： | ￥41.141298 |
| 25+： | ￥38.891561 |
| 100+： | ￥31.110981 |
| 250+： | ￥29.382594 |
| 500+： | ￥27.654206 |
| 1000+： | ￥23.678913 |
| 2500+： | ￥23.333236 |
| 5000+： | ￥21.259171 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥45.76