
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥42.432849 | ¥42.43 |
| 10 | ¥35.575014 | ¥355.75 |
| 100 | ¥28.781474 | ¥2878.15 |
| 500 | ¥25.583722 | ¥12791.86 |
| 1000 | ¥21.906208 | ¥21906.21 |
| 2000 | ¥20.62708 | ¥41254.16 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC190N15NS3 G SP000416636
单位重量 100 mg
购物车
0BSC190N15NS3GATMA1
型号:BSC190N15NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥42.432849 |
| 10+: | ¥35.575014 |
| 100+: | ¥28.781474 |
| 500+: | ¥25.583722 |
| 1000+: | ¥21.906208 |
| 2000+: | ¥20.62708 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥42.43