
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.966976 | ¥2900.93 |
| 6000 | ¥0.873371 | ¥5240.23 |
| 15000 | ¥0.810988 | ¥12164.82 |
| 30000 | ¥0.792278 | ¥23768.34 |
| 75000 | ¥0.767313 | ¥57548.47 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3433CDV-T1-GE3
型号:SI3433CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.966976 |
| 6000+: | ¥0.873371 |
| 15000+: | ¥0.810988 |
| 30000+: | ¥0.792278 |
| 75000+: | ¥0.767313 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00