货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.18262 | ¥3547.86 |
6000 | ¥1.06814 | ¥6408.84 |
15000 | ¥0.991845 | ¥14877.67 |
30000 | ¥0.968963 | ¥29068.89 |
75000 | ¥0.93843 | ¥70382.25 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3433CDV-T1-GE3
型号:SI3433CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.18262 |
6000+: | ¥1.06814 |
15000+: | ¥0.991845 |
30000+: | ¥0.968963 |
75000+: | ¥0.93843 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00