货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥37.008335 | ¥37.01 |
10 | ¥31.027189 | ¥310.27 |
100 | ¥25.102118 | ¥2510.21 |
500 | ¥22.31316 | ¥11156.58 |
1000 | ¥19.105771 | ¥19105.77 |
2000 | ¥17.990164 | ¥35980.33 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 29 S
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC190N15NS3 G SP000416636
单位重量 100 mg
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0BSC190N15NS3GATMA1
型号:BSC190N15NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥37.008335 |
10+: | ¥31.027189 |
100+: | ¥25.102118 |
500+: | ¥22.31316 |
1000+: | ¥19.105771 |
2000+: | ¥17.990164 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥37.01