
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.404435 | ¥1213.31 |
| 6000 | ¥0.36398 | ¥2183.88 |
| 15000 | ¥0.323525 | ¥4852.88 |
| 30000 | ¥0.303326 | ¥9099.78 |
| 75000 | ¥0.268978 | ¥20173.35 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 2.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 2.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SN7002W H6327 SP000917572
单位重量 8 mg
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0SN7002WH6327XTSA1
型号:SN7002WH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.404435 |
| 6000+: | ¥0.36398 |
| 15000+: | ¥0.323525 |
| 30000+: | ¥0.303326 |
| 75000+: | ¥0.268978 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00