搜索

SI3410DV-T1-GE3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SI3410DV-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
渠道:
digikey

库存 :49559

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 8.842189 8.84
10 6.523634 65.24
30 6.091606 182.75
100 5.673978 567.40
500 5.486766 2743.38

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 8 A

漏源电阻 19.5 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 33 nC

耗散功率 4.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.1 mm

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI3410DV-GE3

单位重量 20 mg

SI3410DV-T1-GE3 相关产品

SI3410DV-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI3410DV-T1-GE3、查询SI3410DV-T1-GE3代理商; SI3410DV-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI3410DV-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SI3410DV-T1-GE3 替代型号 、SI3410DV-T1-GE3 数据手册PDF

购物车

SI3410DV-T1-GE3

锐单logo

型号:SI3410DV-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:49559 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥8.842189
10+: ¥6.523634
30+: ¥6.091606
100+: ¥5.673978
500+: ¥5.486766

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥8.84