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SI3433CDV-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI3433CDV-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
渠道:
digikey

库存 :2499

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 6.658544 6.66
10 5.666845 56.67
25 5.292834 132.32
100 3.929958 393.00
250 3.733885 933.47
500 3.068597 1534.30
1000 2.494262 2494.26

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 6 A

漏源电阻 38 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 18 nC

耗散功率 3.3 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 20 ns

上升时间 22 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 50 ns

典型接通延迟时间 20 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3

单位重量 20 mg

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SI3433CDV-T1-GE3

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型号:SI3433CDV-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:2499 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥6.658544
10+: ¥5.666845
25+: ¥5.292834
100+: ¥3.929958
250+: ¥3.733885
500+: ¥3.068597
1000+: ¥2.494262

货期:7-10天

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