
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.658544 | ¥6.66 |
| 10 | ¥5.666845 | ¥56.67 |
| 25 | ¥5.292834 | ¥132.32 |
| 100 | ¥3.929958 | ¥393.00 |
| 250 | ¥3.733885 | ¥933.47 |
| 500 | ¥3.068597 | ¥1534.30 |
| 1000 | ¥2.494262 | ¥2494.26 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 38 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 3.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3433CDV-T1-BE3 SI3433CDV-GE3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3433CDV-T1-GE3
型号:SI3433CDV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.658544 |
| 10+: | ¥5.666845 |
| 25+: | ¥5.292834 |
| 100+: | ¥3.929958 |
| 250+: | ¥3.733885 |
| 500+: | ¥3.068597 |
| 1000+: | ¥2.494262 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.66