
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.764618 | ¥8.76 |
| 50 | ¥7.041107 | ¥352.06 |
| 100 | ¥5.579356 | ¥557.94 |
| 500 | ¥4.729247 | ¥2364.62 |
| 1000 | ¥3.852433 | ¥3852.43 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFZ44EPBF SP001557776
单位重量 2 g
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0IRFZ44EPBF
型号:IRFZ44EPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.764618 |
| 50+: | ¥7.041107 |
| 100+: | ¥5.579356 |
| 500+: | ¥4.729247 |
| 1000+: | ¥3.852433 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.76