EMT1FHAT2R
库存 ：8000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.18953 | ￥5.19 |
| 10 | ￥3.91686 | ￥39.17 |
| 25 | ￥3.533822 | ￥88.35 |
| 100 | ￥1.863288 | ￥186.33 |
| 250 | ￥1.844012 | ￥461.00 |
| 500 | ￥1.651259 | ￥825.63 |
| 1000 | ￥1.285026 | ￥1285.03 |
| 2500 | ￥1.1758 | ￥2939.50 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V
集电极—基极电压 - 60 V
发射极 - 基极电压 - 6 V
饱和电压 - 500 mV
最大直流电集电极电流 - 150 mA
耗散功率 150 mW
增益带宽产品 140 MHz
集电极连续电流 - 150 mA
直流集电极 120
直流电流增益（Max） 560
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
EMT1FHAT2R 同类别型号
注
EMT1FHAT2R
型号：EMT1FHAT2R
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：8000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.18953 |
| 10+： | ￥3.91686 |
| 25+： | ￥3.533822 |
| 100+： | ￥1.863288 |
| 250+： | ￥1.844012 |
| 500+： | ￥1.651259 |
| 1000+： | ￥1.285026 |
| 2500+： | ￥1.1758 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.19