EPC2012C
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- 制造商编号：
- EPC2012C
- 制造商：
- EPS
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
- 渠道：
- digikey
库存 ：2960
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥41.71849 | ￥41.72 |
| 10 | ￥34.64635 | ￥346.46 |
| 100 | ￥27.575637 | ￥2757.56 |
| 500 | ￥23.33321 | ￥11666.61 |
| 1000 | ￥19.797996 | ￥19798.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
EPC2012C
制造商
EPS
商品描述
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
eGaN®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 3A, 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1.3nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V, -4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
140pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Die Outline (4-Solder Bar)
封装/外壳
Die
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注
EPC2012C品牌厂家：EPS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
EPC2012C
型号：EPC2012C
品牌：EPS
供货：锐单
库存：2960 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥41.71849 |
| 10+： | ￥34.64635 |
| 100+： | ￥27.575637 |
| 500+： | ￥23.33321 |
| 1000+： | ￥19.797996 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥41.72