货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.453999 | ¥10.45 |
10 | ¥8.523085 | ¥85.23 |
100 | ¥6.627836 | ¥662.78 |
500 | ¥5.618348 | ¥2809.17 |
1000 | ¥4.576762 | ¥4576.76 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 1.095 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 7.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SQS481ENW-T1_GE3
型号:SQS481ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.453999 |
10+: | ¥8.523085 |
100+: | ¥6.627836 |
500+: | ¥5.618348 |
1000+: | ¥4.576762 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.45