
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥11.986299 | ¥11.99 |
| 10 | ¥9.772361 | ¥97.72 |
| 100 | ¥7.599314 | ¥759.93 |
| 500 | ¥6.44186 | ¥3220.93 |
| 1000 | ¥5.247603 | ¥5247.60 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 1.095 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 7.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SQS481ENW-T1_GE3
型号:SQS481ENW-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥11.986299 |
| 10+: | ¥9.772361 |
| 100+: | ¥7.599314 |
| 500+: | ¥6.44186 |
| 1000+: | ¥5.247603 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.99