NSVT65010MW6T1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.534968 | ￥1604.90 |
| 6000 | ￥0.511581 | ￥3069.49 |
| 15000 | ￥0.453115 | ￥6796.72 |
| 30000 | ￥0.447268 | ￥13418.04 |
| 75000 | ￥0.380032 | ￥28502.40 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
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注
NSVT65010MW6T1G
型号：NSVT65010MW6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.534968 |
| 6000+： | ￥0.511581 |
| 15000+： | ￥0.453115 |
| 30000+： | ￥0.447268 |
| 75000+： | ￥0.380032 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00