货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥2.504311 | ¥7512.93 |
6000 | ¥2.372486 | ¥14234.92 |
9000 | ¥2.196767 | ¥19770.90 |
30000 | ¥2.174999 | ¥65249.97 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISH617DN-T1-GE3
型号:SISH617DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥2.504311 |
6000+: | ¥2.372486 |
9000+: | ¥2.196767 |
30000+: | ¥2.174999 |
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