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制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.05 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 85 mg
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0NTHD4P02FT1G
型号:NTHD4P02FT1G
品牌:ON
供货:锐单
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