
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.715319 | ¥17.72 |
| 10 | ¥15.891167 | ¥158.91 |
| 100 | ¥13.019882 | ¥1301.99 |
| 500 | ¥11.083826 | ¥5541.91 |
| 1000 | ¥10.622468 | ¥10622.47 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 46.8 nC
耗散功率 245 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 68 ns
上升时间 142 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 77 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 20.1 mm
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0FDA33N25
型号:FDA33N25
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥17.715319 |
| 10+: | ¥15.891167 |
| 100+: | ¥13.019882 |
| 500+: | ¥11.083826 |
| 1000+: | ¥10.622468 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.72