货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.38344 | ¥11.38 |
10 | ¥9.873898 | ¥98.74 |
100 | ¥6.83254 | ¥683.25 |
500 | ¥5.709043 | ¥2854.52 |
1000 | ¥4.858874 | ¥4858.87 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 35 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SISH617DN-T1-GE3
型号:SISH617DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.38344 |
10+: | ¥9.873898 |
100+: | ¥6.83254 |
500+: | ¥5.709043 |
1000+: | ¥4.858874 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.38