NSVT65010MW6T1G
库存 ：3000
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.808516 | ￥5.81 |
| 10 | ￥4.320969 | ￥43.21 |
| 25 | ￥3.89879 | ￥97.47 |
| 100 | ￥2.054232 | ￥205.42 |
| 250 | ￥2.033264 | ￥508.32 |
| 500 | ￥1.820474 | ￥910.24 |
| 1000 | ￥1.416711 | ￥1416.71 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
晶体管极性 PNP
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) - 65 V
集电极—基极电压 - 80 V
发射极 - 基极电压 - 5 V
饱和电压 - 650 mV
最大直流电集电极电流 - 100 mA
耗散功率 380 mW
增益带宽产品 100 MHz
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 7.500 mg
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注
NSVT65010MW6T1G
型号：NSVT65010MW6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.808516 |
| 10+： | ￥4.320969 |
| 25+： | ￥3.89879 |
| 100+： | ￥2.054232 |
| 250+： | ￥2.033264 |
| 500+： | ￥1.820474 |
| 1000+： | ￥1.416711 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.81