
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.749135 | ¥15.75 |
| 10 | ¥14.135942 | ¥141.36 |
| 100 | ¥11.361798 | ¥1136.18 |
| 500 | ¥9.334862 | ¥4667.43 |
| 1000 | ¥7.734575 | ¥7734.58 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 3.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFBF30PBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFBF30PBF
型号:IRFBF30PBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.749135 |
| 10+: | ¥14.135942 |
| 100+: | ¥11.361798 |
| 500+: | ¥9.334862 |
| 1000+: | ¥7.734575 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.75