货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥4.057397 | ¥10143.49 |
5000 | ¥3.854554 | ¥19272.77 |
12500 | ¥3.709667 | ¥46370.84 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 19 A
漏源电阻 74 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
正向跨导(Min) 18 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0NTD6416ANLT4G
型号:NTD6416ANLT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.057397 |
5000+: | ¥3.854554 |
12500+: | ¥3.709667 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00