货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.909998 | ¥15.91 |
75 | ¥12.769249 | ¥957.69 |
150 | ¥10.506358 | ¥1575.95 |
525 | ¥8.890017 | ¥4667.26 |
1050 | ¥7.542995 | ¥7920.14 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 269 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 147 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHD14N60E-BE3
单位重量 330 mg
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0SIHD14N60E-GE3
型号:SIHD14N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.909998 |
75+: | ¥12.769249 |
150+: | ¥10.506358 |
525+: | ¥8.890017 |
1050+: | ¥7.542995 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.91