货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.323483 | ¥14.32 |
10 | ¥12.772759 | ¥127.73 |
100 | ¥9.956597 | ¥995.66 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 16.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 16 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 42 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 mg
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0CSD17318Q2T
型号:CSD17318Q2T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.323483 |
10+: | ¥12.772759 |
100+: | ¥9.956597 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.32