
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.604269 | ¥15.60 |
| 10 | ¥12.958583 | ¥129.59 |
| 100 | ¥10.312897 | ¥1031.29 |
| 500 | ¥8.726189 | ¥4363.09 |
| 1000 | ¥7.40405 | ¥7404.05 |
制造商 Infineon
商标名 StrongIRFET
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 135 V
漏极电流 129 A
漏源电阻 8.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 441 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 81 ns
正向跨导(Min) 200 S
上升时间 73 ns
典型关闭延迟时间 114 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF135B203 SP001576588
单位重量 2 g
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0IRF135B203
型号:IRF135B203
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.604269 |
| 10+: | ¥12.958583 |
| 100+: | ¥10.312897 |
| 500+: | ¥8.726189 |
| 1000+: | ¥7.40405 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.60