
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥47.884844 | ¥47.88 |
| 10 | ¥42.954688 | ¥429.55 |
| 25 | ¥40.608615 | ¥1015.22 |
| 100 | ¥32.488025 | ¥3248.80 |
| 250 | ¥30.683135 | ¥7670.78 |
| 500 | ¥28.878244 | ¥14439.12 |
| 1000 | ¥24.726995 | ¥24726.99 |
| 2500 | ¥24.366018 | ¥60915.04 |
| 5000 | ¥22.200151 | ¥111000.76 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 34 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHA11N80E-GE3
型号:SIHA11N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥47.884844 |
| 10+: | ¥42.954688 |
| 25+: | ¥40.608615 |
| 100+: | ¥32.488025 |
| 250+: | ¥30.683135 |
| 500+: | ¥28.878244 |
| 1000+: | ¥24.726995 |
| 2500+: | ¥24.366018 |
| 5000+: | ¥22.200151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥47.88