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CSD17318Q2T

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD17318Q2T
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CHANNEL 30V 25A 6WSON
渠道:
digikey

库存 :5212

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 14.323483 14.32
10 12.772759 127.73
100 9.956597 995.66

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 25 A

漏源电阻 16.9 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 10 V

栅源极阈值电压 600 mV

栅极电荷 6 nC

耗散功率 16 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 4 ns

正向跨导(Min) 42 S

上升时间 16 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 13 ns

典型接通延迟时间 5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 5.500 mg

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CSD17318Q2T

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型号:CSD17318Q2T

品牌:TI

供货:锐单

库存:5212 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥14.323483
10+: ¥12.772759
100+: ¥9.956597

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