货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.404154 | ¥30.40 |
10 | ¥25.30772 | ¥253.08 |
100 | ¥20.137768 | ¥2013.78 |
500 | ¥17.040034 | ¥8520.02 |
1000 | ¥14.458172 | ¥14458.17 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 140 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 84 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 105.300 mg
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0CSD19532Q5B
型号:CSD19532Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.404154 |
10+: | ¥25.30772 |
100+: | ¥20.137768 |
500+: | ¥17.040034 |
1000+: | ¥14.458172 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.40