货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥16.042669 | ¥16.04 |
10 | ¥11.808787 | ¥118.09 |
30 | ¥11.031136 | ¥330.93 |
100 | ¥10.253484 | ¥1025.35 |
500 | ¥9.90786 | ¥4953.93 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 140 A
漏源电阻 4.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 84 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 105.300 mg
购物车
0CSD19532Q5B
型号:CSD19532Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥16.042669 |
10+: | ¥11.808787 |
30+: | ¥11.031136 |
100+: | ¥10.253484 |
500+: | ¥9.90786 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥16.04