货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥15.836782 | ¥15.84 |
10 | ¥12.918823 | ¥129.19 |
100 | ¥10.050745 | ¥1005.07 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 11.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 5.3 nC
耗散功率 29 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
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0CSD17579Q3AT
型号:CSD17579Q3AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.836782 |
10+: | ¥12.918823 |
100+: | ¥10.050745 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.84