货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥67.093192 | ¥67.09 |
10 | ¥60.285024 | ¥602.85 |
100 | ¥49.389486 | ¥4938.95 |
500 | ¥42.213109 | ¥21106.55 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 800 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 346 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 180 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 106 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB011N04L G SP000391498
单位重量 1.600 g
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0IPB011N04LGATMA1
型号:IPB011N04LGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥67.093192 |
10+: | ¥60.285024 |
100+: | ¥49.389486 |
500+: | ¥42.213109 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥67.09