
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥41.984235 | ¥41.98 |
| 25 | ¥26.392616 | ¥659.82 |
| 100 | ¥22.509233 | ¥2250.92 |
| 500 | ¥21.619546 | ¥10809.77 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 9.7 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 161 nC
耗散功率 520 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 74 ns
正向跨导(Min) 150 S
上升时间 105 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 41 ns
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4668PBF SP001572854
单位重量 6 g
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0IRFP4668PBF
型号:IRFP4668PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥41.984235 |
| 25+: | ¥26.392616 |
| 100+: | ¥22.509233 |
| 500+: | ¥21.619546 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.98