
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.861782 | ¥2585.35 |
| 6000 | ¥0.786211 | ¥4717.27 |
| 9000 | ¥0.747698 | ¥6729.28 |
| 15000 | ¥0.704326 | ¥10564.89 |
| 21000 | ¥0.678629 | ¥14251.21 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 15.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 29.9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 201 ns
典型接通延迟时间 45.2 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6J501NU,LF
型号:SSM6J501NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.861782 |
| 6000+: | ¥0.786211 |
| 9000+: | ¥0.747698 |
| 15000+: | ¥0.704326 |
| 21000+: | ¥0.678629 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00