货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.174718 | ¥13.17 |
10 | ¥11.811019 | ¥118.11 |
100 | ¥9.210746 | ¥921.07 |
500 | ¥7.608515 | ¥3804.26 |
1000 | ¥6.006631 | ¥6006.63 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 195.5 A
漏源电阻 1.23 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 82 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 95 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
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0SISS08DN-T1-GE3
型号:SISS08DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.174718 |
10+: | ¥11.811019 |
100+: | ¥9.210746 |
500+: | ¥7.608515 |
1000+: | ¥6.006631 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.17