货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥33.78926 | ¥33.79 |
10 | ¥30.361717 | ¥303.62 |
100 | ¥24.406056 | ¥2440.61 |
500 | ¥20.051374 | ¥10025.69 |
1000 | ¥16.666127 | ¥16666.13 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 88 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134.700 mg
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0CSD19502Q5B
型号:CSD19502Q5B
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥33.78926 |
10+: | ¥30.361717 |
100+: | ¥24.406056 |
500+: | ¥20.051374 |
1000+: | ¥16.666127 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥33.79