货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥3.258903 | ¥16294.52 |
10000 | ¥3.108551 | ¥31085.51 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC265N10LSF G SP000379618
单位重量 120.700 mg
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0BSC265N10LSFGATMA1
型号:BSC265N10LSFGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥3.258903 |
10000+: | ¥3.108551 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00