
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.040604 | ¥20.04 |
| 10 | ¥14.196703 | ¥141.97 |
| 100 | ¥9.969819 | ¥996.98 |
| 500 | ¥8.581969 | ¥4290.98 |
| 1000 | ¥7.448834 | ¥7448.83 |
| 2000 | ¥7.222573 | ¥14445.15 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC265N10LSF G SP000379618
单位重量 120.700 mg
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0BSC265N10LSFGATMA1
型号:BSC265N10LSFGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.040604 |
| 10+: | ¥14.196703 |
| 100+: | ¥9.969819 |
| 500+: | ¥8.581969 |
| 1000+: | ¥7.448834 |
| 2000+: | ¥7.222573 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.04