货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.11518 | ¥3.12 |
10 | ¥2.155705 | ¥21.56 |
100 | ¥1.051685 | ¥105.17 |
500 | ¥0.877486 | ¥438.74 |
1000 | ¥0.609703 | ¥609.70 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 43 ns
正向跨导(Min) 200 ms
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RU1J002YN
单位重量 6 mg
购物车
0RU1J002YNTCL
型号:RU1J002YNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.11518 |
10+: | ¥2.155705 |
100+: | ¥1.051685 |
500+: | ¥0.877486 |
1000+: | ¥0.609703 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.12