货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥41.098815 | ¥41.10 |
10 | ¥34.542915 | ¥345.43 |
100 | ¥27.948618 | ¥2794.86 |
500 | ¥24.842742 | ¥12421.37 |
1000 | ¥21.271553 | ¥21271.55 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 24 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD600N25N3 G SP001127834
单位重量 330 mg
购物车
0IPD600N25N3GATMA1
型号:IPD600N25N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥41.098815 |
10+: | ¥34.542915 |
100+: | ¥27.948618 |
500+: | ¥24.842742 |
1000+: | ¥21.271553 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥41.10