货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.361251 | ¥4.36 |
10 | ¥2.978113 | ¥29.78 |
100 | ¥1.456658 | ¥145.67 |
500 | ¥1.214672 | ¥607.34 |
1000 | ¥0.84409 | ¥844.09 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 80 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 0.95 mm
长度 2.15 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0BSS123WQ-7-F
型号:BSS123WQ-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.361251 |
10+: | ¥2.978113 |
100+: | ¥1.456658 |
500+: | ¥1.214672 |
1000+: | ¥0.84409 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.36