
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥66.916082 | ¥66.92 |
| 10 | ¥60.078717 | ¥600.79 |
| 100 | ¥49.226385 | ¥4922.64 |
| 500 | ¥41.905369 | ¥20952.68 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 117 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 89 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R099P7 SP001664910
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R099P7ATMA1
型号:IPB60R099P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥66.916082 |
| 10+: | ¥60.078717 |
| 100+: | ¥49.226385 |
| 500+: | ¥41.905369 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥66.92