货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.329826 | ¥14.33 |
10 | ¥11.700616 | ¥117.01 |
100 | ¥9.096325 | ¥909.63 |
500 | ¥7.710694 | ¥3855.35 |
1000 | ¥6.281201 | ¥6281.20 |
2000 | ¥5.912986 | ¥11825.97 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC265N10LSF G SP000379618
单位重量 120.700 mg
购物车
0BSC265N10LSFGATMA1
型号:BSC265N10LSFGATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.329826 |
10+: | ¥11.700616 |
100+: | ¥9.096325 |
500+: | ¥7.710694 |
1000+: | ¥6.281201 |
2000+: | ¥5.912986 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.33