货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥58.36169 | ¥58.36 |
10 | ¥52.398397 | ¥523.98 |
100 | ¥42.933402 | ¥4293.34 |
500 | ¥36.548287 | ¥18274.14 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 77 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 45 nC
耗散功率 117 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 89 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R099P7 SP001664910
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R099P7ATMA1
型号:IPB60R099P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥58.36169 |
10+: | ¥52.398397 |
100+: | ¥42.933402 |
500+: | ¥36.548287 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥58.36