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DMG1012TQ-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG1012TQ-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
渠道:
自营
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库存 :53

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 0.401103 0.40
10 0.364634 3.65
30 0.340325 10.21
100 0.303867 30.39
500 0.286855 143.43

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 630 mA

漏源电阻 400 mOhms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 736.6 pC

耗散功率 280 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12.3 ns

上升时间 7.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.7 ns

典型接通延迟时间 5.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 2 mg

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DMG1012TQ-7

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型号:DMG1012TQ-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:53 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥0.401103
10+: ¥0.364634
30+: ¥0.340325
100+: ¥0.303867
500+: ¥0.286855

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