货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥0.401103 | ¥0.40 |
10 | ¥0.364634 | ¥3.65 |
30 | ¥0.340325 | ¥10.21 |
100 | ¥0.303867 | ¥30.39 |
500 | ¥0.286855 | ¥143.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMG1012TQ-7
型号:DMG1012TQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.401103 |
10+: | ¥0.364634 |
30+: | ¥0.340325 |
100+: | ¥0.303867 |
500+: | ¥0.286855 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.40