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DMG1012TQ-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMG1012TQ-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET NCH 20V 630MA SOT523
渠道:
digikey

库存 :973572

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 4.363681 4.36
10 2.979772 29.80
100 1.457471 145.75
500 1.215349 607.67
1000 0.84456 844.56

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 630 mA

漏源电阻 400 mOhms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 736.6 pC

耗散功率 280 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12.3 ns

上升时间 7.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.7 ns

典型接通延迟时间 5.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 2 mg

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DMG1012TQ-7

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型号:DMG1012TQ-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:973572 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥4.363681
10+: ¥2.979772
100+: ¥1.457471
500+: ¥1.215349
1000+: ¥0.84456

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