货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.363681 | ¥4.36 |
10 | ¥2.979772 | ¥29.80 |
100 | ¥1.457471 | ¥145.75 |
500 | ¥1.215349 | ¥607.67 |
1000 | ¥0.84456 | ¥844.56 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC
耗散功率 280 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMG1012TQ-7
型号:DMG1012TQ-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.363681 |
10+: | ¥2.979772 |
100+: | ¥1.457471 |
500+: | ¥1.215349 |
1000+: | ¥0.84456 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.36