货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.330101 | ¥3990.30 |
6000 | ¥1.244295 | ¥7465.77 |
15000 | ¥1.158489 | ¥17377.34 |
30000 | ¥1.09843 | ¥32952.90 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 7.96 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R3K4CE SP001434888
单位重量 112 mg
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0IPN60R3K4CEATMA1
型号:IPN60R3K4CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.330101 |
6000+: | ¥1.244295 |
15000+: | ¥1.158489 |
30000+: | ¥1.09843 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00