IPN60R3K4CEATMA1
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- 制造商编号：
- IPN60R3K4CEATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.087565 | ￥3262.69 |
| 6000 | ￥1.017406 | ￥6104.44 |
| 15000 | ￥0.947246 | ￥14208.69 |
| 30000 | ￥0.898139 | ￥26944.17 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 7.96 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R3K4CE SP001434888
单位重量 112 mg
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注
IPN60R3K4CEATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPN60R3K4CEATMA1
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。
IPN60R3K4CEATMA1
型号：IPN60R3K4CEATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.087565 |
| 6000+： | ￥1.017406 |
| 15000+： | ￥0.947246 |
| 30000+： | ￥0.898139 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00